赫爾納供應(yīng)德國(guó)microchemicals蝕刻劑

赫爾納供應(yīng)德國(guó)microchemicals蝕刻劑赫爾納供應(yīng)德國(guó)microchemicals蝕刻劑赫爾納貿(mào)易優(yōu)勢(shì)供應(yīng),德國(guó)總部直接采購(gòu)，近30年進(jìn)口工業(yè)品經(jīng)驗(yàn),原裝產(chǎn)品,支持選型，為您提供一對(duì)一好的解決方案：貨期穩(wěn)定，快速報(bào)價(jià)，價(jià)格優(yōu)，在中國(guó)設(shè)有8大辦事處提供相關(guān)售后服務(wù).

公司簡(jiǎn)介：

我們的光刻膠、溶劑、蝕刻化學(xué)品、晶圓和電鍍電解液的產(chǎn)品范圍外，我們努力在我們的支持下，作為我們產(chǎn)品的用戶(hù)，使您在潔凈室中的工作盡可能高效，我們的集裝箱尺寸。

microchemicals蝕刻劑主要產(chǎn)品：

microchemicals蝕刻劑

microchemicals光刻膠

microchemicals蝕刻劑產(chǎn)品型號(hào)：

TiW etch 200

TechniEtch™CN10

microchemicals蝕刻劑產(chǎn)品特點(diǎn)：

清漆：商業(yè)酚醛清漆作為遮蔽清漆（例如 AZ ®光致抗蝕劑）

金屬：蝕金、鉻、鎳；銅

半導(dǎo)體材料：Si、SiO2、Si3N4

低底切（在層厚范圍內(nèi)），結(jié)構(gòu)分辨率低于1μm

對(duì)許多材料具有選擇性，包括電鍍金屬

與油漆掩模兼容

microchemicals蝕刻劑產(chǎn)品應(yīng)用：

microchemicals蝕刻劑TiW etch 200是一種鈦鎢蝕刻劑，用于鈦鎢合金層的濕化學(xué)結(jié)構(gòu)化，對(duì)金、鉑、鎳、鉻等金屬具有選擇性。常見(jiàn)的應(yīng)用領(lǐng)域可以在半導(dǎo)體和微系統(tǒng)技術(shù)的粘合層結(jié)構(gòu)中找到。銅鎳蝕刻液，堅(jiān)硬和耐腐蝕的金屬，在顯微結(jié)構(gòu)中經(jīng)常被用作基體和成長(zhǎng)的金屬層之間的厚度層。作為硅基底和鋁基底之間的分水嶺，它是阻止硅在 Alzur 中滲透的屏障。鋁尖峰是指鋁從中分離出來(lái)的硅回到空氣中，由此產(chǎn)生的短路。

microchemicals蝕刻劑TechniEtch™CN10是一種由硝酸和磷酸組成的銅和鎳蝕刻溶液。25° C 時(shí)的蝕刻速率約為每分鐘 0.3-0.4 µm。我們建議在 8-16% (30%) 的存在下執(zhí)行蝕刻過(guò)程。如果不添加過(guò)氧化氫，蝕刻速率會(huì)顯著降低且不均勻。microchemicals蝕刻劑蝕刻速率取決于鈦沉積工藝和所得的晶體結(jié)構(gòu)。正電阻、負(fù)電阻和反轉(zhuǎn)電阻，在正性抗蝕劑的情況下，曝光區(qū)域由于在那里形成茚羧酸而變得可溶于顯影劑。由于正性抗蝕劑不會(huì)交聯(lián)，超過(guò)其軟化點(diǎn)（約 100-130°C）會(huì)導(dǎo)致抗蝕劑輪廓變圓。

microchemicals蝕刻劑AZ ® nLOF 2000 系列或AZ ® 15nXT和AZ ® 125nXT等負(fù)性抗蝕劑通過(guò)后續(xù)烘烤步驟（對(duì)于AZ ® 125nXT則不需要）在曝光區(qū)域中交聯(lián)，并保留在曝光區(qū)域中。顯影后的基材。microchemicals蝕刻劑室溫下銅的蝕刻速率通常約為 3 至 3.5 μm/min。只有添加氨來(lái)穩(wěn)定 pH 值，蝕刻溶液才能連續(xù)運(yùn)行（氨會(huì)隨著時(shí)間的推移而逸出，具體取決于循環(huán)條件）。如果不進(jìn)行跟蹤，蝕刻液會(huì)提前耗盡。銅產(chǎn)量為 30 至 50 克/升。microchemicals蝕刻劑建議遲在蝕刻速率降低20%或蝕刻時(shí)間延長(zhǎng)不符合規(guī)范時(shí)丟棄該溶液。

microchemicals蝕刻劑Cu etch 200 UBM是一種中性（弱堿性）銅蝕刻劑，用于濕式化學(xué)去除銅層，作為電鍍開(kāi)始，對(duì) Ni、Au、Cr、Sn、Ti 等金屬具有選擇性。適用于半導(dǎo)體和微系統(tǒng)技術(shù)，例如，在電鍍銅后去除起始層以進(jìn)行凸塊下金屬化 (UBM) 時(shí)。40°C 時(shí)的蝕刻速率通常為 10 至 15 nm/min，RT 時(shí)的蝕刻速率相應(yīng)較低。在室溫下，約 180 秒即可結(jié)構(gòu)化/去除 30 納米厚的鉻層。microchemicals蝕刻劑蝕刻液穩(wěn)定，可根據(jù)要求多次使用。蝕刻混合物集中于Ti、TiW和TiN與Cu凸塊柱的連接，以自行混合。microchemicals蝕刻劑TechniEtch™ TBR19 濃縮物與大多數(shù)凸塊下金屬化 (UBM) 和銅柱集成材料兼容，例如銅、鋁、鎳、玻璃、有機(jī)基板和許多塑料，例如聚丙烯、HDPE、PFA、Kalrez PTFE、PEEK 和 PE。50℃時(shí)的蝕刻速率約為1000A/min。microchemicals蝕刻劑在高溫下，也能防止油漆輪廓變圓。然而，在高工藝溫度下，熱交程度會(huì)增加到濕化學(xué)剝離變得困難。